IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，是絕緣柵雙極型晶體管的英文縮寫，作為一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，IGBT是電機(jī)控制器的核心。英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。早在1993年，西門子就推出了第一代的IGBT的系列產(chǎn)品。2007年，英飛凌正式推出了汽車級(jí)的IGBT，至今已有10年的歷史。

英飛凌作為半導(dǎo)體元器件的核心供應(yīng)商，針對(duì)不同企業(yè)提供差異化的產(chǎn)品，在擴(kuò)大現(xiàn)有產(chǎn)品產(chǎn)能的同時(shí)也在加速碳化硅(SiC)產(chǎn)品的研發(fā)。

“經(jīng)驗(yàn)的積累和對(duì)行業(yè)的了解，對(duì)于核心的元器件來說是非常非常重要的。”徐輝認(rèn)為，“其實(shí)IGBT的技術(shù)各大企業(yè)都可以研究出來，但是實(shí)際上IGBT的關(guān)鍵是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)的積累，這一點(diǎn)英飛凌有自己獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。”

針對(duì)整個(gè)汽車產(chǎn)業(yè)鏈，英飛凌提供三類可以供客戶來選擇的產(chǎn)品：裸片（圓晶，是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片）、分離式器件和模塊。徐輝認(rèn)為，客戶可以根據(jù)自己的需自由選擇所需要產(chǎn)品，模塊化產(chǎn)品集成度很高，對(duì)系統(tǒng)的要求相對(duì)就低一些，對(duì)企業(yè)來說固然是最好的選擇。當(dāng)然企業(yè)也可以自己做封裝，選擇分離式產(chǎn)品。

中國中車集團(tuán)專家郭淑英介紹，國產(chǎn)車輛主要與國產(chǎn)電控系統(tǒng)相配套，但關(guān)鍵核心部件仍有賴于進(jìn)口。不過，隨著技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)有部分企業(yè)開始自己研發(fā)電機(jī)控制器。精金電動(dòng)CTO蔡蔚表示，比亞迪在量產(chǎn)車型宋上就應(yīng)用了自己研發(fā)的IGBT模塊，成本能控制在2000～3000元。

國內(nèi)對(duì)于半導(dǎo)體功率器件重視程度還如歐美國家，目前國內(nèi)新能源整車企業(yè)都采用英飛凌半導(dǎo)體器件，比亞迪也是由英飛凌提供晶圓，自己來制作IGBT模塊。

近些年，英飛凌一直在布局新能源汽車。在德國的Dresden（德累斯頓）和馬來西亞Kulim（吉打州），英飛凌都已建設(shè)工廠來量產(chǎn)圓晶，來滿足日益火爆的汽車市場(chǎng)。

作為新興工藝，碳化硅的絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工藝生產(chǎn)的功率器件導(dǎo)通電阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作頻率更高，也能夠耐受更高的環(huán)境溫度。因此在高壓功率市場(chǎng)，碳化硅器件簡直是IGBT的完美替代者。

但是，碳化硅器件的價(jià)格是原有硅器件的3倍。高昂價(jià)格自然阻礙了碳化硅功率器件的應(yīng)用推廣，用戶只有在對(duì)性能與可靠性要求極為嚴(yán)苛?xí)r，才會(huì)考慮使用碳化硅產(chǎn)品。英飛凌也在逐步加速對(duì)碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)，推進(jìn)新型產(chǎn)品的大規(guī)模應(yīng)用。